企業情報
About us
「窒化ガリウムのその先へ」
窒化ガリウムが切り拓いた次世代エレクトロニクスの流れを継ぎ、
いま、ウルトラワイドギャップ半導体「窒化アルミニウム」がその先の可能性へと踏み出そうとしています。
ULTEC株式会社は、この窒化アルミニウム系材料を基盤に、
深紫外線レーザーダイオード、遠紫外線LED、深紫外線センサ、高耐圧パワーデバイスなど、
多岐にわたる分野で世界トップレベルの技術力を誇るリーディングカンパニーです。
私たちは、ウルトラワイドギャップ半導体のポテンシャルを最大限に引き出し、
これまでにない革新を社会へ届けていきます。
技術紹介
AlN、AlGaNなどのウルトラワイドギャップ半導体における、薄膜成長からデバイス設計・製造に至るまで──
ULTECは、光デバイスからパワーデバイスに至るあらゆる領域で、革新を可能にする技術力を有しています。
深紫外線レーザーダイオード ── 四半世紀の沈黙を破る ──
1990年代に青色レーザーダイオードが開発されて以降、半導体レーザーの次のフロンティアは「深紫外」でした。
しかし、その実現は長らく不可能とされていた領域。数多くの研究機関と企業が研究開発に注力したものの、2008年に報告された325 nmを最後に、深紫外レーザーダイオードの開発は沈黙を続けていました。
2019年、旭化成株式会社と名古屋大学が世界初の室温パルス発振に成功。2022年には、室温での連続発振を実現──四半世紀ぶり新たなるレーザーダイオードの誕生：“深紫外レーザーダイオード”に光が灯った瞬間でした。
ULTECは、このブレイクスルーを社会に届けるために、2025年に旭化成株式会社からスピンアウトしたスタートアップカンパニーです。
結晶成長 × デバイス設計 × プロトタイピング
レーザーダイオードの実現には、複数の高度な技術が不可欠です。
高品質な単結晶半導体基板、精密な薄膜成長技術、安定したプロセス技術、そしてそれらを統合・制御する設計および評価技術──。どれか一つが欠けても、最終的なデバイス性能は大きく損なわれてしまいます。
ULTECでは、これらすべての分野において世界トップレベルのエンジニアが集結し、名古屋大学C-TEFsの最先端設備を活用しながら、レーザーダイオードの研究開発を強力に推進しています。
メンバー
吉川 陽
博士(工学)
代表取締役
2010年、名古屋大学大学院修士課程修了後、旭化成株式会社にて長く化合物半導体の薄膜成長に従事。産総研、名城大学、名古屋大学などへの出向を通じ、広範な研究経験を積む。MOVPEによる窒化物半導体の薄膜成長において数々の世界的成果を残し、名城大学／赤崎研究室にて博士号を取得。2021年、深紫外レーザーダイオードの開発プロジェクトに参画し、商用化を主導。2025年、旭化成からのスピンアウトによりULTEC株式会社を創設。
張 梓懿
博士(工学)
取締役・最高技術責任者
2015年、東京大学大学院修士課程修了後、旭化成株式会社にて深紫外LED開発に従事。名古屋大学にて深紫外レーザーダイオードの研究開発プロジェクトを立ち上げ、2019年に世界初の室温パルス発振、2022年には連続発振を達成。この成果により、名古屋大学大学院工学研究科より博士号を取得。光電子デバイスの設計・特性評価に専門性を持ち、応用物理学会優秀論文賞を2度受賞するなど、国内外で高い評価を受けている。
久志本 真希
博士(工学)
技術顧問
名古屋大学 工学研究科 准教授
- 2022年 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞 受賞
- 2022 Harold M. Manasevit Young Investigator Award 受賞
▶︎ 教員紹介(外部リンク, 名古屋大学)
会社概要
| 会社名 | ULTEC 株式会社 |
| 設立 | 2025年4月 |
| 代表 | 吉川 陽 |
| 資本金 | ¥ 3,000,000 |
| 事業内容 | 窒化物半導体デバイス販売 技術コンサルティング |
| 本社 | 〒464-0813 愛知県名古屋市千種区不老町 TOIC NAGOYA |
ULTEC Inc.
TOIC NAGOYA, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-0814, Japan