
ウルトラワイドバンドギャップ半導体で
未来を拓く
私たちは、窒化アルミニウム系半導体技術を牽引し、
世界最先端のデバイスを社会へ届けます。
新着情報
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Photonics West 展示会
2026年1月17-22日 に開催された SPIE Photonics West Exibition にて深紫外レーザーダイオードの展示を行いました。 期間中は、当社の深紫外レーザーダイオードにご関心…
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ベンチャーズトーク2026
ULTEC 代表取締役 吉川 陽 がベンチャーズトーク2026 ~Tongaliアカデミア発ベンチャー企業のつどい~ にて講演を行いました。本イベントは「地球の未来を拓くテクノロジーの祭典 TechG…
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ICNS-15 における基調講演
ULTECの技術顧問である 久志本 真希 先生が窒化物半導体を代表する国際学会 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICN…
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ベルソルト・ライビンガー・イノベーション賞
ULTECはその最先端の深紫外レーザーダイオード技術により、光学技術分野で世界的に権威のあるBerthold Leibinger Innovationspreis(ベルソルト・ライビンガー・イノベーシ…
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名古屋大発ベンチャー称号を獲得しました
このたび,私たちULTEC株式会社は,2025年5月1日をもちまして,第88号 「名古屋大学発ベンチャー」の称号 を獲得いたしました. 本認定は、名古屋大学で研究・開発された知的財産を基盤として創業さ…

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TOIC NAGOYA, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-0814, Japan




