ウルトラワイドギャップ半導体技術で未来を拓く 

窒化ガリウムのその先へ

窒化ガリウムが切り開いた次世代エレクトロニクスの流れを継ぎ、いま、ウルトラワイドギャップ半導体「窒化アルミニウム」が新たな可能性を拓こうとしています。

ULTEC株式会社は、この窒化アルミニウム系材料を基盤に、深紫外線レーザーダイオード、遠紫外線LED、深紫外線センサ、高耐圧パワーデバイスなど、多岐にわたる分野で世界トップレベルの技術力を誇るリーディングカンパニーです。
私たちは、ウルトラワイドギャップ半導体のポテンシャルを最大限に引き出し、これまでにない革新を社会へ届けていきます。

製品・技術

窒化アルミニウム系材料でつなぐ、光と電力の未来

AlN、AlGaNなどのウルトラワイドギャップ半導体における薄膜成長からデバイス設計・製造に至るまで──
ULTECは、光デバイスからパワーデバイスに至るあらゆる領域で、革新を可能にする技術力を有しています。

深紫外線レーザーダイオード

  • 世界初の275 nm深紫外レーザーダイオード
  • 出力：1 mW超（室温動作）
  • パッケージ：TO5.6 CAN
  • エンジニアリングサンプル提供中
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四半世紀の沈黙を破る、深紫外レーザーの夜明け

青色レーザーダイオードの実現以降、次のフロンティアは「紫外」でした。しかし、その実現は長らく“不可能”とされていた領域。数多くの研究機関と企業が研究開発に注力したものの、2008年に報告された325nmを最後に、紫外レーザーダイオードの開発は沈黙を続けていました。

2019年、旭化成株式会社と名古屋大学が世界初の室温パルス発振に成功。2022年には、室温での連続発振を実現──四半世紀ぶり新たなるレーザーダイオードの誕生“紫外レーザー”に光が灯った瞬間でした。

ULTECは、このブレイクスルーを社会に届けるために、2025年に旭化成株式会社からカーブアウトしたスタートアップカンパニーです。

結晶成長 × デバイス設計 × プロトタイピング

  • AlGaN薄膜の成長、デバイス設計・試作において長年の実績
  • 単結晶AlN基板を用いた高度なデバイスプロセス技術
  • AlGaN系トランジスタおよび紫外線検出器の先端研究をリード
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デバイスを支える、4つの核心技術

レーザーダイオードの実現には、複数の高度な技術が不可欠です。
高品質な単結晶基板、精密な薄膜成長技術、安定したプロセス技術、そしてそれらを統合・制御する設計および評価技術──。
どれか一つが欠けても、最終的なデバイス性能は大きく損なわれてしまいます。

ULTECでは、これらすべての分野において世界トップレベルのエンジニアが集結し、名古屋大学CTEFsの最先端設備を活用しながら、レーザーダイオードの研究開発を強力に推進しています。

メンバー

吉川 陽 (工学博士)

2010年、名古屋大学大学院修士課程修了後、旭化成株式会社にて長く化合物半導体の薄膜成長に従事。産総研、名城大学、名古屋大学などへの出向を通じ、広範な研究経験を積む。2018年、名城大学／赤崎研究室にて博士号を取得。MOVPEによる窒化物半導体の薄膜成長において数々の世界的成果を残す。2021年、深紫外レーザーダイオードの開発プロジェクトに参画し、商用化を主導。2025年、旭化成からのカーブアウトによりULTEC株式会社を創設。

代表取締役
張 梓懿 (工学博士)

2015年、東京大学大学院修士課程修了後、旭化成株式会社にて深紫外LED開発に従事。名古屋大学では深紫外レーザーダイオードの研究開発プロジェクトを立ち上げ、2019年に世界初の室温パルス発振、2022年には連続発振を達成。この成果により、名古屋大学大学院工学研究科より博士号を取得。光電子デバイスの設計・特性評価に専門性を持ち、応用物理学会優秀論文賞を2度受賞するなど、国内外で高い評価を受けている。

取締役・最高技術責任者
久志本 真希 (工学博士)

名古屋大学 工学研究科 准教授

Faculty profile
技術顧問
天野 浩 (工学博士)

名古屋大学 名誉教授

Faculty profile
技術顧問

お問い合わせ

    ULTEC Inc.

    TOIC NAGOYA, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-0814, Japan